色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > UMW1NTR

UMW1NTR

廠家：: ROHM Semiconductor
封裝：: UM-5
數量：: 8883
說明：: 兩極晶體管 - BJT DUAL NPN/NPN

一、本商品被瀏覽0次.

UMW1NTR PDF參數資料

中文參數如下：

工廠包裝數量：3000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：150 mW
直流電流增益 hFE 最大值：120 at 1 mA at 6 V
封裝形式：UM-5
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：120 at 1 mA at 6 V
增益帶寬產品fT：180 MHz
最大直流電集電極電流：0.15 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：7 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：50 V
集電極—基極電壓 VCBO：60 V
晶體管極性：NPN
配置：Dual
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：ROHM Semiconductor

以上是UMW1NTR的詳細信息，包括UMW1NTR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：