TT8M1TR

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 8-TSST
數(shù)量：: 3441
說明：: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8

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TT8M1TR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：
封裝封裝/外殼：8-SMD，扁平引線
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：1W
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：260pF @ 10V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：3.6nC @ 4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：72 毫歐 @ 2.5A，4.5V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：2.5A
漏源電壓（Vdss）：20V
FET 功能：邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動
配置：N 和 P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設(shè)計
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

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