TT8K11TCR

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 8-TSST
數(shù)量：: 3429
說(shuō)明：: MOSFET 2N-CH 30V 3A TSST8

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TT8K11TCR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
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封裝封裝/外殼：8-SMD，扁平引線
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：1W
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：140pF @ 10V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：2.5nC @ 5V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1A
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：71 毫歐 @ 3A，10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：3A
漏源電壓（Vdss）：30V
FET 功能：邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng)
配置：2 N-通道（雙）
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設(shè)計(jì)
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

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