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TSM150P03PQ33 RGG

廠家：: Taiwan Semiconductor Corporation
封裝：: 8-PDFN（3.1x3.1）
數量：: 4140
說明：: MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN

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TSM150P03PQ33 RGG PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：27.8W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1829 pF @ 15 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：29.3 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：15 毫歐 @ 10A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：36A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：30 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：P 通道
產品狀態：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Taiwan Semiconductor Corporation

以上是TSM150P03PQ33 RGG的詳細信息，包括TSM150P03PQ33 RGG廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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