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TPN14006NH,L1Q

廠家：: Toshiba
封裝：: 8-TSON Advance（3.1x3.1）
數(shù)量：: 4104
說明：: MOSFET N-Ch 60V 1000pF 15nC 13.9mOhm 33A 30W

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TPN14006NH,L1Q-8-TSON Advance（3.1x3.1）圖片

TPN14006NH,L1Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：18 ns
上升時(shí)間：9 ns
功率耗散：30 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：15 nC
下降時(shí)間：5.5 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSON-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：11 mOhms
漏極連續(xù)電流：33 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Toshiba

以上是TPN14006NH,L1Q的詳細(xì)信息，包括TPN14006NH,L1Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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