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中文參數(shù)如下:
:150°C(TJ)
功率耗散(最大值):1.6W(Ta),57W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1100 pF @ 75 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):10.6 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4V @ 300μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):33 毫歐 @ 9A,10V
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18A(Ta)
漏源電壓(Vdss):150 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類(lèi)型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:U-MOSVIII-H
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage
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