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TPC8A02-H(TE12L,Q)

廠家：
  Toshiba
封裝：
 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
數量：
 1161  
說明：
 MOSFET MOSFET N-Ch SBD 30V 16A
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TPC8A02-H(TE12L,Q)-8-SOIC（0.173

TPC8A02-H(TE12L,Q) PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：3000
上升時間：6 ns
功率耗散：1.9 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：12 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOP-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0056 Ohms
漏極連續電流：16 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是TPC8A02-H(TE12L,Q)的詳細信息，包括TPC8A02-H(TE12L,Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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