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TPC8018-H(TE12L,Q)

廠家:
  Toshiba
封裝:
 SOP-8
數量:
 387  
說明:
 MOSFET PW TR N-Ch 30V 18A 1.9W 3.5mOhms
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TPC8018-H(TE12L,Q)-SOP-8圖片

TPC8018-H(TE12L,Q) PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:25 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:19 ns
功率耗散:1.9 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:15 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOP-8
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0046 Ohms
漏極連續電流:18 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba

以上是TPC8018-H(TE12L,Q)的詳細信息,包括TPC8018-H(TE12L,Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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