色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > TPC6503(TE85L,F,M)

TPC6503(TE85L,F,M)

廠家：: Toshiba
封裝：: VS-6（2.9x2.8）
數量：: 5850
說明：: MOSFET NPN hFE 400 to 1000 VCE 0.12V tF 45ns

一、本商品被瀏覽0次.

TPC6503(TE85L,F,M) PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
供應商器件：
封裝封裝/外殼：SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：-
功率 - 最大值：1.6 W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：400 @ 150mA，2V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：120mV @ 10mA，500mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：30 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：1.5 A
晶體管類型：NPN
產品狀態：停產
包裝：U-MOSVII
系列：卷帶（TR）
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TPC6503(TE85L,F,M)的詳細信息，包括TPC6503(TE85L,F,M)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：