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TND017SW-TL-E

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
數(shù)量：: 4014
說(shuō)明：: MOSFET EXPD NCH+NCH 1.5A 60V

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TND017SW-TL-E PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：1.7 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：SOP-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：400 mOhms
漏極連續(xù)電流：1.5 A
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是TND017SW-TL-E的詳細(xì)信息，包括TND017SW-TL-E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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