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TN0200T

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-236-3
數(shù)量:
 144  
說明:
 MOSFET 20V 1.2A 0.35W
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TN0200T PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:21 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
上升時間:14 ns
功率耗散:350 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:14 ns
封裝形式:TO-236-3
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):400 mOhms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流:0.73 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Vishay

以上是TN0200T的詳細信息,包括TN0200T廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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