TN0110N3-G-P002

廠家：: Microchip Technology
封裝：: TO-92-3
數(shù)量：: 4821
說明：: MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3

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TN0110N3-G-P002 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：1W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：60 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 500μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：3 歐姆 @ 500mA，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：350mA（Tj）
漏源電壓（Vdss）：100 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Microchip Technology

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