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TLE2161IDG4

廠家：: Texas Instruments
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 6822
說(shuō)明：: 運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 JFET-Inp Hi-Out-Drv Lo-Pwr Decompensated

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TLE2161IDG4 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

電壓增益 dB：98.06 dB
技術(shù)：BiFET
電源電流：0.035 mA
工廠包裝數(shù)量：75
最小工作溫度：- 40 C
最小雙重電源電壓：+/- 3.5 V
最大雙重電源電壓：+/- 18 V
增益帶寬生成：5.8 MHz
包裝形式：Tube
最大工作溫度：+ 85 C
關(guān)閉：No
轉(zhuǎn)換速度：10 V/us
封裝形式：SOIC-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
工作電源電壓：7 V to 36 V, +/- 3.5 V to +/- 18 V
輸入偏流（最大值）：2 nA
輸入補(bǔ)償電壓：3.1 mV
共模抑制比（最小值）：65 dB
通道數(shù)量：1
RoHS：是
產(chǎn)品種類：運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放
制造商：Texas Instruments

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