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TLE2071IDR

廠家:
  Texas Instruments
封裝:
 8-SOIC
數(shù)量:
 4887  
說(shuō)明:
 運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 Low-Noise High-Speed JFET-Input
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TLE2071IDR-8-SOIC圖片

TLE2071IDR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

電壓增益 dB:106 dB
技術(shù):BiFET
電源電流:2.2 mA
工廠包裝數(shù)量:2500
最小工作溫度:- 40 C
最小雙重電源電壓:+/- 2.25 V
最大雙重電源電壓:+/- 19 V
增益帶寬生成:9.4 MHz
包裝形式:Reel
最大工作溫度:+ 85 C
輸出電流:48 mA
關(guān)閉:No
轉(zhuǎn)換速度:35 V/us
封裝形式:SOIC-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
工作電源電壓:4.5 V to 38 V, +/- 2.25 V to +/- 19 V
輸入偏流(最大值):175 pA
輸入補(bǔ)償電壓:4 mV
共模抑制比(最小值):70 dB
通道數(shù)量:1
RoHS:是
產(chǎn)品種類:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放
制造商:Texas Instruments

以上是TLE2071IDR的詳細(xì)信息,包括TLE2071IDR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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