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TL032IDR

廠家:
  Texas Instruments
封裝:
 8-SOIC
數(shù)量:
 3834  
說明:
 運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 Dual Enhanced JFET Low-Power Precision
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TL032IDR-8-SOIC圖片

TL032IDR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

電壓增益 dB:82.61 dB
技術(shù):BiFET
電源電流:0.56 mA
工廠包裝數(shù)量:2500
最小工作溫度:- 40 C
最小雙重電源電壓:+/- 5 V
最大雙重電源電壓:+/- 15 V
增益帶寬生成:1.1 MHz
包裝形式:Reel
最大工作溫度:+ 85 C
輸出電流:40 mA
關(guān)閉:No
轉(zhuǎn)換速度:5.1 V/us
封裝形式:SOIC-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
工作電源電壓:10 V to 30 V, +/- 5 V to +/- 15 V
輸入偏流(最大值):200 pA
輸入補(bǔ)償電壓:0.8 mV
共模抑制比(最小值):75 dB
通道數(shù)量:2
RoHS:是
產(chǎn)品種類:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放
制造商:Texas Instruments

以上是TL032IDR的詳細(xì)信息,包括TL032IDR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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