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TK7P65W,RQ

廠家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝:
 DPAK
數量:
 4617  
說明:
 MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
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TK7P65W,RQ-DPAK圖片

TK7P65W,RQ PDF參數資料

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中文參數如下:
:150°C(TJ)
功率耗散(最大值):60W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):490 pF @ 300 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):15 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):800 毫歐 @ 3.4A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):6.8A(Ta)
漏源電壓(Vdss):650 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:在售
包裝:DTMOSIV
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

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