色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > TK31J60W,S1VQ

TK31J60W,S1VQ

廠家：: Toshiba
封裝：: TO-3P（N）
數(shù)量：: 8118
說(shuō)明：: MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC

一、本商品被瀏覽0次.

TK31J60W,S1VQ PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

功率耗散：230 W
柵極電荷 Qg：105 nC
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-3P
安裝風(fēng)格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.088 Ohms
漏極連續(xù)電流：30.8 A
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Toshiba

以上是TK31J60W,S1VQ的詳細(xì)信息，包括TK31J60W,S1VQ廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：