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TK22A10N1,S4X

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: TO-220SIS
數量：: 3546
說明：: MOSFET N-CH 100V 22A TO220SIS

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TK22A10N1,S4X PDF參數資料

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中文參數如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：30W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1800 pF @ 50 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：28 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 300μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：13.8 毫歐 @ 11A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：22A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：100 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：U-MOSVIII-H
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TK22A10N1,S4X的詳細信息，包括TK22A10N1,S4X廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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