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TK16H60C(Q)

廠家：: Toshiba
封裝：: TO-3P(W)
數(shù)量：: 387
說明：: MOSFET MOSFET N-Ch 600V 16A Rdson=0.4Ohm

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TK16H60C(Q) PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：20
上升時(shí)間：60 ns
功率耗散：150 W
下降時(shí)間：50 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-3P(W)
安裝風(fēng)格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.4 Ohms
漏極連續(xù)電流：16 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是TK16H60C(Q)的詳細(xì)信息，包括TK16H60C(Q)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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