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TK10E60W,S1VX

廠家:
  Toshiba
封裝:
 TO-220-3
數(shù)量:
 6768  
說明:
 MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
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TK10E60W,S1VX-TO-220-3圖片

TK10E60W,S1VX PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:75 ns
上升時間:22 ns
功率耗散:100 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:20 nC
下降時間:5.5 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.38 Ohms
漏極連續(xù)電流:9.7 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Toshiba

以上是TK10E60W,S1VX的詳細(xì)信息,包括TK10E60W,S1VX廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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