色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類(lèi) > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > TK09H90A(Q)

TK09H90A(Q)

廠家：: Toshiba
封裝：: TO-3P(W)
數(shù)量：: 333
說(shuō)明：: MOSFET MOSFET N-Ch 900V 9A Rdson=1.3Ohm

一、本商品被瀏覽0次.

TK09H90A(Q) PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：20
上升時(shí)間：25 ns
功率耗散：150 W
下降時(shí)間：20 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-3P(W)
安裝風(fēng)格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.3 Ohms
漏極連續(xù)電流：9 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：900 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是TK09H90A(Q)的詳細(xì)信息，包括TK09H90A(Q)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1