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TJ50S06M3L,LXHQ

廠家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝:
 DPAK+
數(shù)量:
 3636  
說明:
 MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
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TJ50S06M3L,LXHQ-DPAK+圖片

TJ50S06M3L,LXHQ PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
:175°C
功率耗散(最大值):90W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):6290 pF @ 10 V
Vgs(最大值):+10V,-20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):124 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):13.8 毫歐 @ 25A,10V
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):50A(Ta)
漏源電壓(Vdss):60 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:P 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:U-MOSVI
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

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