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TDTA123J,LM

廠家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝:
 SOT-23-3
數(shù)量:
 3681  
說明:
 PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN TRAN
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TDTA123J,LM PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
供應(yīng)商器件:SOT-23-3
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
安裝類型:表面貼裝型
功率 - 最大值:320 mW
頻率 - 躍遷:250 MHz
電流 - 集電極截止(最大值):500nA
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):300mV @ 500μA,10mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V
電阻器 - 發(fā)射極 (R2):-
電阻器 - 基極 (R1):2.2 kOhms
電壓 - 集射極擊穿(最大值):50 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100 mA
晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:卷帶(TR)
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

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