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TCET1100G

廠家:
  Vishay Semiconductors
封裝:
 4-DIP
數量:
 6579  
說明:
 晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR 50-600%
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TCET1100G-4-DIP圖片

TCET1100G PDF參數資料

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中文參數如下:

工廠包裝數量:5000
輸出類型:DC
輸出設備:NPN Phototransistor
每芯片的通道數量:1 Channel
最大反向二極管電壓:6 V
最大輸入二極管電流:60 mA
包裝形式:Tube
封裝形式:PDIP-4
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 100 C
最大功率耗散:265 mW
最大集電極電流:50 mA
最大正向二極管電壓:1.6 V
電流傳遞比:600 %
絕緣電壓:5000 Vrms
最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.3 V
最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V
輸入類型:DC
RoHS:是
產品種類:晶體管輸出光電耦合器
制造商:Vishay

以上是TCET1100G的詳細信息,包括TCET1100G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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