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SUP33N20-60P-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-220AB
數(shù)量:
 1656  
說明:
 MOSFET 200V 33A 156W
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SUP33N20-60P-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:26 ns
工廠包裝數(shù)量:500
上升時間:170 ns
功率耗散:3.12 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:9 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220AB
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.06 Ohms
漏極連續(xù)電流:33 A
閘/源擊穿電壓:+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SUP33N20-60P-E3的詳細信息,包括SUP33N20-60P-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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