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SUM110P08-11-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數量：: 3240
說明：: MOSFET 80V 110A 375W 11.1mohm @ 10V

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SUM110P08-11-E3 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：145 ns
工廠包裝數量：800
上升時間：410 ns
功率耗散：13.6 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：470 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0111 Ohms
漏極連續電流：23.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 80 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SUM110P08-11-E3的詳細信息，包括SUM110P08-11-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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