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SUM110N04-03-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數(shù)量:
 3105  
說明:
 MOSFET 40V 110A 437.5W 2.8mohm @ 10V
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SUM110N04-03-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:55 ns
工廠包裝數(shù)量:800
上升時間:170 ns
功率耗散:3.75 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:110 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263-3
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):2.8 mOhms
漏極連續(xù)電流:110 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:40 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SUM110N04-03-E3的詳細信息,包括SUM110N04-03-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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