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SUD23N06-31-T4-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
數量:
 2466  
說明:
 MOSFET N-CH D-S 60V TO252
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SUD23N06-31-T4-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:標準型
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:31 毫歐 @ 15A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:21.4A
Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:17nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :670pF @ 25V
功率 - 最大:31.25W
安裝類型:表面貼裝

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