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SUD08P06-155L-T4E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數(shù)量：: 2358
說(shuō)明：: MOSFET P-CH 20V 8.4A TO252

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SUD08P06-155L-T4E3-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

SUD08P06-155L-T4E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：155 毫歐 @ 5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：8.4A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：19nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：450pF @ 25V
功率 - 最大：2W
安裝類型：表面貼裝

以上是SUD08P06-155L-T4E3的詳細(xì)信息，包括SUD08P06-155L-T4E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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