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SUB75N08-10-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-263-3
數量:
 324  
說明:
 MOSFET 75V 75A 187W
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SUB75N08-10-E3 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:65 ns
商標名:TrenchFET
工廠包裝數量:800
上升時間:95 ns
功率耗散:3.7 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:20 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263-3
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):9 mOhms
漏極連續電流:75 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:75 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SUB75N08-10-E3的詳細信息,包括SUB75N08-10-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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