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中文參數如下:
上升時間:7 ns
功率耗散:110 W
柵極電荷 Qg:31 nC
下降時間:9 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-247
安裝風格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.22 Ohms
漏極連續電流:9.4 A
閘/源擊穿電壓:25 V
汲極/源極擊穿電壓:650 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:STMicroelectronics
以上是STW18N65M5的詳細信息,包括STW18N65M5廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!