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STS8DN3LLH5

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 4311
說明：: MOSFET Dual N-Ch 30V 10A STripFET V Pwr

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STS8DN3LLH5 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：21.1 ns
上升時(shí)間：4.2 ns
功率耗散：2.7 W
柵極電荷 Qg：5.4 nC
下降時(shí)間：3.5 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：15.5 mOhms
漏極連續(xù)電流：10 A
閘/源擊穿電壓：22 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STS8DN3LLH5的詳細(xì)信息，包括STS8DN3LLH5廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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