色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<sup id="eas6u"></sup>

<s id="eas6u"></s>

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > STS5DNE30L

STS5DNE30L

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: SO-8
數(shù)量：: 1053
說明：: MOSFET N-Ch 30 Volt 5 Amp

一、本商品被瀏覽0次.

STS5DNE30L PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：2500
功率耗散：2 W
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.045 Ohms
漏極連續(xù)電流：5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STS5DNE30L的詳細(xì)信息，包括STS5DNE30L廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

UPA2826T1S-E2-AT

MCB130N10YA-TP

STK130N4LF7AG

IAUC120N04S6N013ATMA1