色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類(lèi) > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > STP24NM60N

STP24NM60N

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-220
數(shù)量：: 6165
說(shuō)明：: MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

一、本商品被瀏覽0次.

STP24NM60N PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

上升時(shí)間：16.5 ns
功率耗散：120 W
柵極電荷 Qg：46 nC
下降時(shí)間：37 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220
安裝風(fēng)格：Through Hole
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.168 Ohms
漏極連續(xù)電流：17 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：650 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STP24NM60N的詳細(xì)信息，包括STP24NM60N廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1