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STL19N60DM2

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 PowerFlat?(8x8)HV
數量:
 4142  
說明:
 MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
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STL19N60DM2-PowerFlat?(8x8)HV圖片

STL19N60DM2 PDF參數資料

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中文參數如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):90W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):-
Vgs(最大值):±25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):21 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):320 毫歐 @ 5.5A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):11A(Tc)
漏源電壓(Vdss):600 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:停產
包裝:MDmesh? DM2
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:STMicroelectronics

以上是STL19N60DM2的詳細信息,包括STL19N60DM2廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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