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中文參數如下：
典型關閉延遲時間：65 ns
上升時間：24 ns
功率耗散：190 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：13 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：I2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.079 Ohms
漏極連續電流：33 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：650 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics
以上是STI42N65M5的詳細信息，包括STI42N65M5廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
