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中文參數(shù)如下:
功率耗散:150 W
包裝形式:Tube
封裝形式:I2PAK
安裝風(fēng)格:Through Hole
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.4 Ohms
漏極連續(xù)電流:8 A
汲極/源極擊穿電壓:800 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STI11NM80的詳細信息,包括STI11NM80廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!