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STGW60H65DRF

廠家：
  STMicroelectronics
封裝：
 TO-247-3
數量：
 3231  
說明：
 IGBT 晶體管 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT
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STGW60H65DRF-TO-247-3圖片

STGW60H65DRF PDF參數資料

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中文參數如下：

安裝風格：SMD/SMT
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-247
功率耗散：360 W
柵極—射極漏泄電流：250 nA
在25 C的連續集電極電流：120 A
柵極/發射極最大電壓：20 V
集電極—射極飽和電壓：1.9 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：650 V
RoHS：是
制造商：STMicroelectronics

以上是STGW60H65DRF的詳細信息，包括STGW60H65DRF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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