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STGW30M65DF2

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-247-3
數(shù)量：: 6945
說明：: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

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STGW30M65DF2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-247-3
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復時間 (trr)：140 ns
測試條件：400V，30A，10 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關）值：31.6ns/115ns
柵極電荷：80 nC
輸入類型：標準
開關能量：300μJ（開），960μJ（關）
功率 - 最大值：258 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，30A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：120 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：60 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：溝槽型場截止
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

以上是STGW30M65DF2的詳細信息，包括STGW30M65DF2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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