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STGW10M65DF2

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-247-3
數(shù)量：: 7137
說(shuō)明：: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

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STGW10M65DF2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-247-3
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：96 ns
測(cè)試條件：400V，10A，22 歐姆，15V
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：19ns/91ns
柵極電荷：28 nC
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量：120μJ（開），270μJ（關(guān)）
功率 - 最大值：115 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，10A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：40 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：20 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：溝槽型場(chǎng)截止
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：M
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

以上是STGW10M65DF2的詳細(xì)信息，包括STGW10M65DF2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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