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STGP4M65DF2

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 TO-220
數量:
 7605  
說明:
 IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS
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STGP4M65DF2-TO-220圖片

STGP4M65DF2 PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝封裝/外殼:TO-220-3
安裝類型:通孔
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
反向恢復時間 (trr):133 ns
測試條件:400V,4A,47 歐姆,15V
25°C 時 Td(開/關)值:12ns/86ns
柵極電荷:15.2 nC
輸入類型:標準
開關能量:40μJ(開),136μJ(關)
功率 - 最大值:68 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,4A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):16 A
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):8 A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
IGBT 類型:溝槽型場截止
產品狀態:在售
包裝:M
系列:管件
品牌:STMicroelectronics

以上是STGP4M65DF2的詳細信息,包括STGP4M65DF2廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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