色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > STGE50NC60VD

STGE50NC60VD

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: ISOTOP
數(shù)量：: 7065
說明：: IGBT 晶體管 N-chnl 50A-600V PowerMESH

一、本商品被瀏覽0次.

STGE50NC60VD PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：100
安裝風格：Through Hole
最小工作溫度：- 55 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic：80 A
包裝形式：Tube
封裝形式：ISOTOP-4
最大工作溫度：+ 150 C
柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V
配置：Single Dual Emitter
RoHS：是
產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管
制造商：STMicroelectronics

以上是STGE50NC60VD的詳細信息，包括STGE50NC60VD廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產(chǎn)品：