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STGD3NB60HDT4

廠家：
  STMicroelectronics
封裝：
 DPAK
數量：
 6750  
說明：
 MOSFET N-CHAN 6A 600V DPAK
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STGD3NB60HDT4-DPAK圖片

STGD3NB60HDT4 PDF參數資料

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中文參數如下：
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）2.8V @ 15V, 3A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）10A
功率 - 最大50W
輸入類型標準型
安裝類型表面貼裝

以上是STGD3NB60HDT4的詳細信息，包括STGD3NB60HDT4廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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