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STFV4N150

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 TO-220
數量:
 5004  
說明:
 MOSFET IGBT
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STFV4N150-TO-220圖片

STFV4N150 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:45 ns
工廠包裝數量:50
上升時間:30 ns
功率耗散:40 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :3.5 S
下降時間:45 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220FH
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):7 Ohms
漏極連續電流:4 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:1500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是STFV4N150的詳細信息,包括STFV4N150廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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