色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > STD6N10

STD6N10

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: DPAK
數(shù)量：: 6984
說明：: MOSFET N-CH 100V 6A

一、本商品被瀏覽0次.

STD6N10 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：75
上升時間：40 ns
功率耗散：35 W
最小工作溫度：- 65 C
下降時間：20 ns
封裝形式：DPAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.45 Ohms
漏極連續(xù)電流：6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：STMicroelectronics

以上是STD6N10的詳細信息，包括STD6N10廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1