中文參數如下：
工廠包裝數量：75
上升時間：10 ns
功率耗散：55 W
最小工作溫度：- 65 C
下降時間：17 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：IPAK
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：6.5 Ohms
漏極連續電流：1.9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：800 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics
以上是STD2NB80-1的詳細信息，包括STD2NB80-1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
