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STD120N4F6

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數量：: 7695
說明：: MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE

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STD120N4F6-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

STD120N4F6 PDF參數資料

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中文參數如下：

功率耗散：110 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：65 nC
包裝形式：Reel
封裝形式：DPAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：4 mOhms
漏極連續電流：80 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STD120N4F6的詳細信息，包括STD120N4F6廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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