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STD10P6F6

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數量：: 7110
說明：: MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGate

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STD10P6F6-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

STD10P6F6 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：16.5 ns
上升時間：7 ns
功率耗散：35 W
柵極電荷 Qg：7 nC
下降時間：10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.18 Ohms
漏極連續電流：10 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
制造商：STMicroelectronics

以上是STD10P6F6的詳細信息，包括STD10P6F6廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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