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中文參數如下：
上升時間：11 ns
功率耗散：70 W
柵極電荷 Qg：26 nC
下降時間：18 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1 Ohms
漏極連續電流：5 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：525 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics
以上是STB6N52K3的詳細信息，包括STB6N52K3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
