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STB33N60M6

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 D2PAK(TO-263)
數(shù)量:
 1593  
說明:
 MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
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STB33N60M6 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):190W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1515 pF @ 100 V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):33.4 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.75V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):125 毫歐 @ 12.5A,10V
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):25A(Tc)
漏源電壓(Vdss):600 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:MDmesh? M6
系列:卷帶(TR)
品牌:STMicroelectronics

以上是STB33N60M6的詳細(xì)信息,包括STB33N60M6廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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